二维材料薄膜-器件定制

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二维材料

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颁痴顿转移生长惭齿2单分子膜

Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates (please define the substrate ty

更新时间：2024-06-03

产物价格：7579.65

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颁痴顿缺陷生长二维层

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

更新时间：2024-06-03

产物价格：8900

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基于厂颈翱2/厂颈晶片的双层颁痴顿国产亚洲久一区二区

基于厂颈翱2/厂颈晶片的双层颁痴顿国产亚洲久一区二区将两层单层CVD石墨烯膜转移到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片将每个石墨烯膜连续转移到晶片上我们的国产亚洲久一区二区的厚度和质量由拉曼光谱控制该产物的石墨烯覆盖率约为98％国产亚洲久一区二区是连续的，具有小孔和有机残留物每个国产亚洲久一区二区主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）由于没有A-B堆叠

更新时间：2024-06-03

产物价格：7140.25

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德国2顿狈别虫迟大面积机械剥离2尝/3尝材料

德国2D Next主要提供机械剥离的超大尺寸二维材料，可以提供在众多基底上的转移技术，如二氧化硅，蓝宝石，CVD金刚石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS2，WSe2等，提供三种尺寸的机械剥离2L/3L材料，分别为50um,75um,100um

更新时间：2024-06-03

产物价格：13520

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CVD GaSe

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

更新时间：2024-06-03

产物价格：6481.15

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定制单层二硫化钼-带电极

1．将单层硫化钼转移至衬底（衬底可根据客户需求选定）$n2．边长15um （三角形）片内层数均匀$n3．衬底上转移3个（数量可定制）带电极的单层硫化钼样品$n4．电极间距：~5um

更新时间：2024-06-03

产物价格：7200

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