国产亚洲久一区二区

二硒化钼晶体 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型 晶体尺寸：~10毫米 电学特性：P型半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：99.995%

硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶体尺寸：~6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

硒化钨钼晶体 MoWSe2(Molybdenum Tungsten Diselenide) 晶体尺寸：6毫米 电学性能：半导体 晶体结构：六边形 晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.30 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%

二硒化铌晶体 2H-NbSe2(Niobium Selenide) 晶体尺寸：~10毫米 电学性能：金属，半导体（TC ~ 7.2k） Charge Density Waves (CDW) system, Tcdw ~33K 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体

二硒化铂晶体 PtSe2 (Platinum Selenide) 晶体尺寸：2-3毫米 电学性能：半金属 晶体结构：六边形 晶胞参数：a = b = 0.375 nm, c = 0.506 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型：合成 晶体纯度：＞99.995%